兵器材料科学与工程

1987, (04) 47-51

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非晶硅、微晶硅与多晶硅的转变及生长机理

林鸿溢

摘要(Abstract):

本文阐述了a-Si:H薄膜样品的制备条件和实验观测条件,通过动态观测获得了非晶硅、微晶硅与多晶硅之间的转变点参数,从微结构的观点对样品作了分类,对各种微结构作了统一的理论分析,提出了一种可能的生长机理。这些结果对非晶硅材料的深入了解及其应用是至关重要的。

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作者(Author): 林鸿溢

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