兵器材料科学与工程

2012, v.35;No.253(04) 109-112

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VO_2薄膜研究进展与发展趋势
Research progress and development tendency of VO_2 thin film

张鹏;路远;

摘要(Abstract):

VO2是一种新型材料,在68℃左右可发生低温半导体与高温金属相之间的可逆相变。综述了VO2薄膜的基本性能,介绍几种常用的VO2薄膜制备方法,对VO2薄膜的应用以及VO2薄膜相变温度的控制方面的研究进展进行探讨;对VO2薄膜的不同应用方向、未来发展趋势及研究重点进行展望。

关键词(KeyWords): VO2薄膜;制备方法;相变温度

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation):

作者(Author): 张鹏;路远;

Email:

DOI: 10.14024/j.cnki.1004-244x.2012.04.002

参考文献(References):

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