兵器材料科学与工程

2006, (05) 23-27

[打印本页] [关闭]
本期目录(Current Issue) | 过刊浏览(Past Issue) | 高级检索(Advanced Search)

实现高温工作的SOI器件埋层结构研究
Research on SOI buried insulator structure for high temperature operating conditions

张新;高勇;刘梦新;安涛;王彩琳;邢昆山;

摘要(Abstract):

硅基集成电路不能胜任高温工作环境,其高温工作上限一般为125℃。而基于SOI材料及其结构的器件,能突破高温的限制。介绍了SOI材料结构技术用于高温电路的优势,分析了影响高温性能的自加热效应。为实现良好的高温性能,比较了几种不同的埋层结构,提出了沟道下用氮化铝作埋层的SOI器件新结构,并对其高温输出性能随温度的变化进行了研究分析,得出了具有指导意义的分析结果。同时提出了根据埋层材料的介电常数不同,进行等效电容折算埋层厚度的新观点,从另一层面提出了抑制自加热效应的理论依据。

关键词(KeyWords): SOI;埋层结构;自加热效应;高温特性。

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation):

作者(Author): 张新;高勇;刘梦新;安涛;王彩琳;邢昆山;

Email:

DOI:

参考文献(References):

扩展功能
本文信息
服务与反馈
本文关键词相关文章
本文作者相关文章
中国知网
分享