兵器材料科学与工程

2012, v.35;No.255(06) 52-55

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单晶铝孔洞生长的分子动力学模拟
Molecular dynamics simulations of void growth in single crystal aluminum

胡晓燕;徐建刚;闫新兴;

摘要(Abstract):

用分子动力学方法模拟不同晶向单轴加载过程中,单晶铝中微纳米孔洞(约1.6 nm)的生长及周围区域的变形过程。为研究晶向对孔洞生长的影响,对具有相同初始孔洞体积分数的两个晶向进行拉伸加载,并对不同温度影响进行研究。结果表明:A晶向(x-[100],y-[010],z-[001])的形变机制主要是{111}晶面部分位错引起的堆垛层错,B晶向(x-[-110],y-[111],z-[11-2])主要是位错的移动与堆积;B晶向比A晶向的位错成核应力大;B晶向屈服应力比A晶向对温度敏感。

关键词(KeyWords): 分子动力学模拟;纳米孔洞生长;单晶铝

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 陕西省教育厅专项科研计划项目(2010JK844)

作者(Author): 胡晓燕;徐建刚;闫新兴;

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参考文献(References):

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