兵器材料科学与工程

2009, v.32;No.234(03) 72-74

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MEMS器件用低表面应力SOI材料的制备及应用
Preparation and MEMS application of low surface stress SOI wafer

何红升;

摘要(Abstract):

利用改进的BGSOI工艺成功制备低表面应力的厚膜SOI晶片,并表征晶片的显微结构、界面和表面应力。研究结果显示:晶片的各层区域分明,界面平整,上层硅厚度为76.5μm,SiO2埋层厚度为0.865μm;晶片键合良好,有效键合面积大于95%,键合强度大于13.54 J/m2;表面应力小于12.6 MPa,已成功制作出微加速度计。

关键词(KeyWords): 表面应力;SOI晶片;厚膜;界面

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation):

作者(Author): 何红升;

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