兵器材料科学与工程

2005, (02) 71-74

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化合物半导体/SiO_2纳米复合薄膜的研究现状
The research status.of the compound semiconductor/SiO_2 nanocomposite thin films

马志华,柴跃生,孙钢,张敏刚

摘要(Abstract):

半导体/介质镶嵌纳米复合薄膜具备准零维量子点的特征,这类材料具有三阶光学非线性系数大,响应快,功耗低等特点,在光开关、光存储及全光逻辑运算等领域有着广阔的应用前景。对半导体/介质镶嵌纳米复合薄膜的主要制备方法-射频磁控共溅射法的基本原理及技术特点作了概要介绍。从镶嵌于介质中半导体纳米颗粒非线性光学性质的研究动态入手,分类评述了化合物半导体/SiO2纳米复合薄膜近年来的研究状况,指出了这类复合薄膜的研究重点和发展方向。

关键词(KeyWords): 化合物半导体;镶嵌纳米薄膜;射频磁控溅射;非线性光学性质

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 山西省自然科学基金(20041073)

作者(Author): 马志华,柴跃生,孙钢,张敏刚

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DOI: 10.14024/j.cnki.1004-244x.2005.02.022

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