兵器材料科学与工程

2000, (05) 35-40

[打印本页] [关闭]
本期目录(Current Issue) | 过刊浏览(Past Issue) | 高级检索(Advanced Search)

CVD生长SiC涂层工艺过程的正交分析研究
ORTHOGONAL ANALYSIS OF CVD SiC COATING PROCESSING

徐志淮,李贺军

摘要(Abstract):

为了在C/C材料表面可靠地制备SiC抗氧化涂层 ,针对CVD工艺特点 ,采用正交设计方法对MTS +H2 体系制备SiC工艺过程进行了全面系统的研究 ,在对沉积过程现象进行观察分析的基础上 ,计算了 6种工艺因素对SiC -CVD过程影响的方差 ,对各自影响的显著性进行了分析 ,并讨论了所属的 2 1种工艺条件对沉积结果的影响。

关键词(KeyWords): 碳/碳复合材料;碳化硅涂层;CVD;正交设计

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 国防科学基金;; 航空科学基金

作者(Author): 徐志淮,李贺军

Email:

DOI:

扩展功能
本文信息
服务与反馈
本文关键词相关文章
本文作者相关文章
中国知网
分享