兵器材料科学与工程

2002, (03) 41-43+50

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Bi_4Ti_3O_(12)薄膜及快速退火工艺的研究
Preparation of Bi_4Ti_3O_(12) thin films with RTA method

苏学军,李岩,张金春

摘要(Abstract):

采用MOCVD工艺在Ts=4 4 0℃条件下制备组分Bi/Ti=1.4 4的非晶态薄膜 ,经过快速退火处理 ,制备高度择优取向的Bi4Ti3 O12 铁电薄膜 ,在Ts=4 0 0℃条件下制备组分Bi/Ti=1.11的非晶态薄膜 ,经过快速退火处理 ,制备高度择优取向的Bi2 Ti2 O7薄膜 ,较好的退火温度为 6 30℃、时间为 6 0s ;快速退火对薄膜组分的影响不大 ,在相同的退火温度下 ,生成 4 3相还是 2 2相取决于退火前薄膜材料的组分。

关键词(KeyWords): MOCVD;XRD;快速退火;EDAX

Abstract:

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基金项目(Foundation):

作者(Author): 苏学军,李岩,张金春

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