兵器材料科学与工程

2010, v.33;No.243(06) 19-22

[打印本页] [关闭]
本期目录(Current Issue) | 过刊浏览(Past Issue) | 高级检索(Advanced Search)

热压烧结C_p/SiC复合材料的低温氧化行为研究
Low-temperature oxidation behavior of hot-pressed C_p/SiC matrix composites

张云龙;张瑞霞;冯元亮;陈斌;王丹;张海杰;

摘要(Abstract):

采用热压烧结技术成功制备Cp/SiC基复合材料,并对其进行短时间低温氧化行为研究。针对不同碳粉含量的Cp/SiC复合材料,分析氧化处理过程对其相组成、氧化层结构以及质量损失行为的影响。研究结果表明,随着碳粉含量增加,氧化层表面的孔洞尺寸和深度均呈现出增加的趋势。氧化层与碳化硅基体的分界清晰,无过渡区,不能形成致密氧化层,反应氧化层厚度也逐渐增加。添加碳粉不利于SiC基复合材料的抗氧化性的改善。

关键词(KeyWords): 短期氧化;碳化硅基复合材料;质量损失行为

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 佳木斯大学人才培养基金项目(编号RC2010-029)

作者(Author): 张云龙;张瑞霞;冯元亮;陈斌;王丹;张海杰;

Email:

DOI:

扩展功能
本文信息
服务与反馈
本文关键词相关文章
本文作者相关文章
中国知网
分享