兵器材料科学与工程

2013, v.36;No.259(04) 19-22

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Bi_(3.75)Ce_(0.25)Ti_3O_(12)电致阻变薄膜的制备及其性能研究
Preparation and properties of Bi_(3.75)Ce_(0.25)Ti_3O_(12) resistive switching thin films

孙丙成;王华;许积文;杨玲;

摘要(Abstract):

采用溶胶-凝胶工艺在Pt/TiO2/Si衬底上制备Bi3.75Ce0.25Ti3O12电致阻变薄膜,研究退火温度对Bi3.75Ce0.25Ti3O12薄膜结构和介电、阻变特性的影响,分析了薄膜在低阻态和高阻态时的电流传导机理。结果表明,所制备Bi3.75Ce0.25Ti3O12薄膜具有单一的钙钛矿晶格结构,不同退火温度Bi3.75Ce0.25Ti3O12薄膜的低、高阻态电流比ILRS/IHRS在104~106,在600℃时有2.5 V的最低Vset电压。无论是高阻态还是低阻态,Bi3.75Ce0.25Ti3O12薄膜的介电常数都随退火温度的升高而增大,介电损耗则随退火温度的升高而减小,高阻态大于低阻态时的介电常数和介电损耗。在低阻态和高阻态的低压区以欧姆传导为主,在高阻态的高压区以空间电荷限制电流(SCLC)传导为主。

关键词(KeyWords): Bi3.75Ce0.25Ti3O12薄膜;溶胶-凝胶;阻变性能;介电性能

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 国家自然科学基金(61066001)

作者(Author): 孙丙成;王华;许积文;杨玲;

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