兵器材料科学与工程

2017, v.40;No.285(06) 62-65

[打印本页] [关闭]
本期目录(Current Issue) | 过刊浏览(Past Issue) | 高级检索(Advanced Search)

硫化时间对Cu_2ZnSnS_4薄膜结构和性能的影响
Effect of sulfurization time on structure and property of Cu_2ZnSnS_4 thin film

孙亚明;王佳慧;于万秋;王志群;华中;

摘要(Abstract):

采用磁控溅射法顺序沉积Cu/Sn/ZnS/Cu/Sn/ZnS/玻璃金属预置层,在530℃经1.5、2.0、3.0 h硫化热处理制备Cu_2ZnSnS_4(CZTS)薄膜,研究硫化时间对CZTS薄膜性能的影响。利用X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计(UV-VIS)等一系列测试设备对薄膜的结构、组分含量、表面形貌及光学带隙进行表征及计算。研究发现:由于前驱体中Cu_6Sn_5致密层的存在,硫化1.5 h时元素间反应不充分;随着热处理时间的增加,元素间反应更加充分,抑制薄膜中Sn元素的挥发,经2.0、3.0 h硫化热处理后的薄膜为单一CZTS相;同时,随着硫化时间的增加,CZTS薄膜的晶化程度提高,颗粒尺寸和禁带宽度增大。

关键词(KeyWords): Cu2ZnSnS4;薄膜;磁控溅射;硫化

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 吉林师范大学博士科研启动项目(2015016)

作者(Author): 孙亚明;王佳慧;于万秋;王志群;华中;

Email:

DOI: 10.14024/j.cnki.1004-244x.20171101.001

参考文献(References):

扩展功能
本文信息
服务与反馈
本文关键词相关文章
本文作者相关文章
中国知网
分享