兵器材料科学与工程

2011, v.34;No.246(03) 38-41

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ITO玻璃基PLZT铁电材料的制备和性能研究
Preparation and characterization of PLZT ferroelectric thin films on ITO-coated glass substrate

刘丽;王华;许积文;任明放;杨玲;

摘要(Abstract):

采用溶胶-凝胶(sol-gel)工艺直接在掺锡氧化铟(ITO)玻璃衬底上制备生长(Pb0.92La0.08)(Zr0.53Ti0.47)O(3PLZT)铁电薄膜,研究不同的退火温度对PLZT薄膜生长行为、电性能及光学性能的影响。结果表明,经650℃退火PLZT薄膜具有较好矫顽场强(55kV/cm)和剩余极化强度(38μC/cm2),薄膜的漏电流可达最低值(7.1nA),薄膜具有较好的介电性及透光性。

关键词(KeyWords): PLZT;退火温度;电性能;光学特性;sol-gel

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 广西自然科学基金资助项目(桂科自0832247);; 广西科技基础条件平台建设专项(编号:10-046-13)

作者(Author): 刘丽;王华;许积文;任明放;杨玲;

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DOI: 10.14024/j.cnki.1004-244x.2011.03.004

参考文献(References):

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