兵器材料科学与工程

2017, v.40;No.282(03) 43-46

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β-SiC(001)晶面小分子吸附的第一性原理研究
Characteristics of molecule absorbed on (001) surface of β-SiC with first principle

程萍;李永平;屈卫清;

摘要(Abstract):

采用平面波展开和第一原理赝势法对理想β-SiC(001)Si面晶体及可能吸附的H2、N_2、O_2、CO小分子的超晶胞进行计算。结果发现:当模拟条件为0 K且忽略原子驰豫时,以替位式吸附占据晶格位置时,除N_2外,其他小分子均可吸附在β-SiC(001)的Si表面,且随吸附位置的改变,小分子键长均会发生改变,其中O_2形变最大;从吸附能量角度来看,O_2在β-SiC(001)Si表面的吸附能力最强,其次是H_2,最后是CO。

关键词(KeyWords): β-SiC;表面吸附;分子模型

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 浙江省青年基金(LQ14F040004);; 浙江省教育厅科研项目(Y201533234;Y201432724);; 宁波市科技局计划项目(2015C10050;2016C10056)

作者(Author): 程萍;李永平;屈卫清;

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