兵器材料科学与工程

2006, (06) 5-7

[打印本页] [关闭]
本期目录(Current Issue) | 过刊浏览(Past Issue) | 高级检索(Advanced Search)

CVI法制备SiC_p/SiC复合材料的氧化性能研究
Oxidizing properties of SiC_p/SiC composite manufactured by CVI

汤精明;王小明;乔生儒;

摘要(Abstract):

对用CVI法制备的SiCp/SiC复合材料的氧化性能进行了研究。材料含有的气孔和破坏氧化膜连续性的杂质元素,为氧气扩散提供通道;氧化过程中形成的气孔,导致了新的自由表面的暴露和空气扩散通道,进而加剧氧化。在材料的高温氧化过程中,SiC的氧化生成SiO2膜导致试样质量增加,玻璃碳界面层的氧化生成CO的逸出导致试样质量损失。最后的质量变化是这两种综合作用的结果。在高温氧化过程中,材料的空隙增多,应力集中加强,界面层被破坏使SiCp/SiC复合材料的强度下降。

关键词(KeyWords): 造粒;团聚体;化学气相渗透;SiC_p/SiC复合材料;微结构;氧化性能

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 国家自然科学基金重大研究计划项目(90405015)

作者(Author): 汤精明;王小明;乔生儒;

Email:

DOI:

扩展功能
本文信息
服务与反馈
本文关键词相关文章
本文作者相关文章
中国知网
分享