纳米氧化锌对压敏电阻电性能的影响Effect of nano-ZnO on electrical properties of ZnO varistor
梁烛;倪凯凯;代礼彬;王翔;周铁;
摘要(Abstract)：
将添加质量分数分别为2%、4%、6%和8%的纳米ZnO掺入氧化锌压敏电阻中,利用纳米粒子的高活性阻止界面迁移,增加压敏电阻的晶界界面数,促进阀片的成分均匀化和致密化,有效提高阀片的电位梯度和能量耐受能力。添加的纳米ZnO的质量分数从2%增加至8%时,电位梯度从347 V/mm增加至395 V/mm,同时8/20μS的残压比下降,2 ms方波冲击电流从121 A增加至149 A。
关键词(KeyWords)： 纳米ZnO;ZnO压敏电阻;电性能
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作者(Author): 梁烛;倪凯凯;代礼彬;王翔;周铁;
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DOI: 10.14024/j.cnki.1004-244x.2014.04.002
参考文献(References)：
- [1]王振林,李盛涛.氧化锌压敏陶瓷制造及应用[M].北京:科学出版社,2009:3-8.
- [2]张虎,曹全喜,孟锡俊,等.共沉淀法制备ZnO压敏电阻复合添加剂[J].电子科技,2009(5):81-83.
- [3]施建章,曹全喜.复合纳米添加剂制备ZnO压敏电阻器[J].压电与声光,2004,26(4):283.
- [4]Nan Cewen,Clark D R.Effect of varistors in grain size and grain boundary barrier heights on the current-voltage characteristics of ZnO varistors[J].J Am Ceram Soc,1996,79(12):3185-3192.
- [5]章会良.ZnO压敏电阻器大电流性能的研究[D].西安:西安电子科技大学,2007:4-5.
- [6]Wong J.Microstructure and phase transformation in a highly non-Ohmic metal oxide varistor ceramic[J].J Appl Phys,1975,46(4):1653-1659.
- [7]韩伟,王建文.掺杂纳米级氧化铋对ZnO压敏陶瓷性能影响研究[J].半导体器件应用,2010,6:87.
- [8]方华为,田旭,张珺.高压下氧化锌纳米晶微观结构和压敏性质的研究[J].高等函授学报:自然科学版,2010(4):92-95.
- [9]陈志清,谢恒.氧化锌压敏瓷及其在电力系统中的应用[M].北京:水力水电出版社,1992:22-33.
- [10]陈大洋,钟庆东,巫欣欣,等.高梯度大通流氧化锌阀片的研究进展[J].材料导报,2010(15):51-55.
- [11]翟华嶂,李建保,黄勇.纳米材料和纳米科技的进展、应用及产业化现状[J].材料工程,2001(11):43-48.