兵器材料科学与工程

2015, v.38;No.273(06) 45-47

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离子注入对高质量4H-SiC外延片ESR谱的影响
ESR results of high-quality 4H-SiC epitaxial layer influenced by ions implantation

程萍;郝建民;

摘要(Abstract):

利用电子自旋共振仪分析了C+、Si+对高质量4H-Si C外延片中本征缺陷ESR谱的影响。结果表明:与原始样品相比,C+、Si+离子注入不仅降低了外延片中的本征缺陷浓度,同时可导致本征缺陷种类发生变化;Si+注入使样品中本征缺陷浓度降低约61%,而C+注入使本征缺陷浓度降低达63%以上。

关键词(KeyWords): 4H-SiC;离子注入;本征缺陷

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 浙江省青年基金(LQ14F040004)

作者(Author): 程萍;郝建民;

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参考文献(References):

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