兵器材料科学与工程

2015, v.38;No.269(02) 36-40

[打印本页] [关闭]
本期目录(Current Issue) | 过刊浏览(Past Issue) | 高级检索(Advanced Search)

预热处理温度对低温制备Mn掺杂ZnO薄膜结构和阻变性能的影响
Effects of pre-heating temperature on microstructures and resistive switching properties of Mn-doped ZnO films prepared at low temperature

陈齐松;王华;许积文;韦长成;张玉佩;

摘要(Abstract):

以水合乙酸锌、水合乙酸锰为前驱体,利用溶胶-凝胶旋涂法在p+-Si衬底上制备Mn掺杂的ZnO阻变薄膜(MZO)。研究工艺中预热处理温度对薄膜的微观结构、阻变特性的影响,分析了薄膜高阻态和低阻态的导电机理。结果表明:经250、300℃预热处理的MZO薄膜孔洞较多,而经350℃预热处理的MZO薄膜致密,无孔洞且呈c轴择优取向生长;经不同温度预热处理所制备的Ag/MZO/p+-Si器件均呈双极性的阻变特性,但经350℃预热处理的器件样品具有更显著的阻变行为和更高的高、低电阻比RHRS/RLRS(104~106);器件在高阻态的低压区为欧姆导电,高阻态高压区为肖特基发射电流传导,在低阻态为空间电荷限制电流(SCLC)传导。

关键词(KeyWords): Mn掺杂ZnO;溶胶凝胶;阻变特性;预热处理

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 国家自然科学基金(51262003);; 广西信息材料重点实验室基金(桂科能1110908-10-Z)

作者(Author): 陈齐松;王华;许积文;韦长成;张玉佩;

Email:

DOI: 10.14024/j.cnki.1004-244x.2015.02.012

参考文献(References):

扩展功能
本文信息
服务与反馈
本文关键词相关文章
本文作者相关文章
中国知网
分享