兵器材料科学与工程

2009, v.32;No.234(03) 99-104

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氧化锌薄膜的p型掺杂及其制备方法
Doping mechanism and preparing technology of p-type ZnO

许积文;王华;任明放;杨玲;

摘要(Abstract):

氧化锌(ZnO)是直接宽带隙半导体材料,有高达60 meV的激子束缚能,是下一代短波长光电材料的潜在材料。有效的p型ZnO薄膜掺杂是实现ZnO基光电器件的基础,虽然取得一定的进展,但从性能上来看,远远不及n型ZnO薄膜,而且重复性差。分析难于实现氧化锌p型掺杂的主要原因,综述近年来出现的p型掺杂的新方法、掺杂机制及其有效的实现工艺,指出今后的发展趋势和研究重点。

关键词(KeyWords): ZnO;p型掺杂;综述;制备方法

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 广西高校百名中青年学科带头人资助计划项目(RC20060809014)

作者(Author): 许积文;王华;任明放;杨玲;

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