汤文明,郑治祥,丁厚福,金志浩

• 1:合肥工业大学
• 2:西安交通大学

摘要(Abstract)：

就Ｆｅ／ＳｉＣ间的界面反应过程和界面优化工艺作了综述。８００℃以上，Ｆｅ／ＳｉＣ发生强烈的界面固相反应，生成复杂的铁硅化物和石墨，界面结合性能显著降低。Ｆｅ原子通过产物层的固相扩散过程可能是该界面反应的速率控制步骤。ＳｉＣ表面化学镀Ｎｉ、氧化处理及ＰＩＲＡＣ工艺等表面涂覆工艺和基体合金化有利于抑制界面反应，优化界面结构，实现Ｆｅ／ＳｉＣ的良好复合

关键词(KeyWords)： 界面反应,固相扩散,化学相容性,反应动力学

Abstract:

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基金项目(Foundation):

作者(Author): 汤文明,郑治祥,丁厚福,金志浩

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参考文献(References)：

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